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產品簡介
油性石墨漿料研磨設備是電子材料領域專用設備，采用高速轉定子與研磨介質協同作用。通過撞擊、剪切效應破解石墨團聚，將顆粒細化至亞微米級，確保分散均勻。設備密封性好、可連續運行，適配油性體系，能保障漿料導電穩定性，廣泛應用于導電涂料、電池電極等生產場景。
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石墨烯漿料分為兩種，以水為介質分散叫水性，以NMP為介質分散叫油性，石墨烯根據石墨烯原料的不同，一般含量在2.5-5的固含量之間打成漿料，影響石墨烯分散或者剝離的因素有很多，設備的選型，分散劑的使用，固含量的把握
石墨烯有單層、雙層、多層,具體如下：
單層石墨烯（Graphene）：指由一層以苯環結構（即六角形蜂巢結構）周期性緊密堆積的碳原子構成的一種二維碳材料。
雙層石墨烯（Bilayer or double-layer graphene）：指由兩層以苯環結構（即六角形蜂巢結構）周期性緊密堆積的碳原子以不同堆垛方式（包括AB堆垛，AA堆垛，AA‘堆垛等）堆垛構成的一種二維碳材料。
少層石墨烯（Few-layer）：指由3-10層以苯環結構（即六角形蜂巢結構）周期性緊密堆積的碳原子以不同堆垛方式（包括ABC堆垛，ABA堆垛等）堆垛構成的一種二維碳材料。
多層或厚層石墨烯（multi-layer graphene）：指厚度在10層以上10nm以下苯環結構（即六角形蜂巢結構）周期性緊密堆積的碳原子以不同堆垛方式（包括ABC堆垛，ABA堆垛等）堆垛構成的一種二維碳材料。
石墨烯（Graphenes）：是一種二維碳材料，是單層石墨烯、雙層石墨烯和多層石墨烯的統稱。
石墨烯主要制備方法：
制備石墨烯常見的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法和化學氣相沉積法（CVD）。
1.機械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對運動，得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡單，得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結構，但是得到的片層小，生產效率低。
墨層之間的間距，再通過物理方法將其分離，***后通過化學法還原，得到石墨烯的方法。這種方法操作簡單，產量高，目前國內使用氧化，還原法制作石墨烯漿料的，如：寧波墨
稀、東莞鴻納、第六元素等企業，
3.SiC外延法是通過在超高真空的高溫環境下，使硅原子升華脫離材料，剩下的C原子通過自組形式重構，從而得到基于SiC襯底的石墨烯。這種方法可以獲得高質量的石墨烯，但是這種方法對設備要求較高
4.CVD也叫氣相沉積法是目前有可能實現工業化制備高質量、大面積石墨烯的方法。這種方法制備的石墨烯具有面積大和質量高的特點，國內用氣相沉積法制作石墨烯漿料的如 重慶墨稀、常州第六元素等企業
GMD2000研磨機有一定輸送能力，對高固含量有一定粘稠度物料，GM2000設計了符合漿液流體特性的特殊轉子，進行物料的推動輸送；所有與物料接觸部位均為316L不銹鋼，機座采用304不銹鋼；特殊要求如：硬度較大物料，對鐵雜質要求嚴苛的物料，管道有一定壓力并且需不間斷運轉的工況，可選磨頭噴涂碳化物或陶瓷；GMD2000改良型膠體磨腔體外有夾套設計，可通冷卻或者升溫介質。
油性石墨漿料研磨設備設備選型表：
研磨分散機 | 流量* | 輸出 | 線速度 | 功率 | 入口/出口連接 |
類型 | l/h | rpm | m/s | kW | |
GMSD2000/4 | 400 | 14,000 | 44 | 4 | DN25/DN15 |
GMSD2000/5 | 1000 | 10,050 | 44 | 11 | DN40/DN32 |
GMSD2000/10 | 3000 | 7,500 | 44 | 22 | DN80/DN65 |
GMSD2000/20 | 8000 | 4,900 | 44 | 45 | DN80/DN65 |
GMSD2000/30 | 20000 | 2,850 | 44 | 90 | DN150/DN125 |
GMSD2000/50 | 60000 | 1,100 | 44 | 110 | DN200/DN150 |
*流量取決于設置的間隙和被處理物料的特性，同時流量可以被調節到最大允許量的 10%。 | |||||
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